1)電弧熔煉室：立式圓筒型真空室。
2)冷態(tài)極限真空度：≤6.7x10-4 Pa.
3)熔煉電流：額定電流1000 A.
4)設備加熱溫度：3500~4000℃.
5）熔煉堝有五個工位，三個熔煉合金工位（一個帶電磁攪拌），一個熔煉除氣工位，一個吸鑄工位。
6)熔煉樣品重量（以鐵標定）：1x500克，1x200克，1x100克。
7)熔煉除氣工位（以鐵標定）：1X80克。
8)吸鑄工位（以鐵標定）：1x80克
9)電弧熔煉陰極裝置：引弧方式為高頻和接觸式引弧。
非自耗真空電弧爐是利用等離子體的高溫、高能量和高活性進行金屬材料的熔煉和自然晶體生長。真空電弧加熱方式使用射頻(RF)發(fā)生器產(chǎn)生高頻應用場來引導鋁箔放電，形成電弧及其等離子體。當鋁箔被加熱到其熔點以上時，它流動到集合內(nèi)靜電場所達到的垂直表面之上，隨即由于放電中所釋放的熱量再次熔融。
通過射頻激勵產(chǎn)生的正交場驅(qū)使電子和離子振蕩同時進行，從而沿水平方向等離子體根據(jù)振蕩情況形成橫立電極間的放電，將鋁箔熔化。產(chǎn)生等離子體振蕩與固體的粉末材料噴入同步進行，使晶體從等離子被構成之間的沉積所形成。
為了使爐內(nèi)通量達到這么高，采用了復合泵結(jié)構。它的系統(tǒng)由機械泵，分子泵和渦流泵三個主要元素組成。機械泵接在實驗的氣缸中，可以把氣壓降低到10~20Pa。在機械泵附近的地方，有一臺分子泵，該泵通過熱板對時機長出的氣體進行壓縮。因此，把機械泵科學地注入高分子涂層膜后，很快就可以將在爐內(nèi)流動的氣壓降低到10-6mbar下面，這樣也可以使處理材料時營造適合的環(huán)境。
